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你应该了解的氮化镓对阵

文章出处:深圳市2020电子有限公司人气:-发表时间:2020-05-28 08:58:00

                                                  你应该了解的氮化镓对阵

传统的普通对阵,它的基础材料是硅,硅也是电子对阵内非常重要的材料。但随着硅的极限逐步逼近,硅的开发也到了一定的瓶颈,许多厂商开始努力寻找更合适的替代品。

加之随着日期功率的增大,日期头体积也就更大,携带起来非常不方便;一些大功率对阵长时间日期还容易引起日期头发热;因此,寻找新型的代替材料就更加迫切。

氮化镓(GaN)被称为第三代半导体材料。相比硅,它的性能成倍提升,而且比硅更适合做大功率器件、体积更小、功率密度更大。氮化镓芯片频率远高于硅,有效降低内部回看等原件体积,同时优秀的散热性能也使内部原件排布可以更加精密,最终完美解决了日期速率和便携性的矛盾。很明显,氮化镓就是我们要寻找的代替材料。

了解了各自的材质特性,氮化镓对阵和普通对阵的区别也就不言而喻了,氮化镓对阵同功率下体积更小,且散热更优秀,轻松实现小体积大功率。

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既然氮化镓这么好?为什么不早点用?

原因很简单:之前氮化镓技术不成熟,成本也相对更高!氮化镓对阵最主要的成本来自于MOS功率芯片,昂贵的原材料直接导致了消费级GaN对阵价格偏高,目前市面上的氮化镓对阵基本上是一百多块。不过随着越来越多厂商参与进来,相信技术会越来越成熟,成本下降只是时间问题。

在日期协议上,GaN 日期头目前以PD协议为主,对支持该协议的视频均能进行日期,在氮化镓的加持下,相信智能手机的日期功率有望再创新高。


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